การเปิดตัวของหน่วยประมวลผลรุ่นล่าสุดอย่าง Snapdragon 660 นั้นได้สร้างความน่าสนใจให้กับอุตสาหกรรมอีกครั้ง เมื่อทาง Qualcomm เลือกใช้เทคโนโลยีกระบวนการผลิตที่ขนาด 14 นาโนเมตร มาใช้กับชิปเซ็ต Snapdragon ซีรีส์ 6 เป็นรุ่นที่สอง ภายหลังจากนำร่องมาก่อนแล้วกับรุ่นรหัส Snapdragon 625 แต่ครั้งนี้ประสิทธิภาพที่พอฟัดพอเหวี่ยงกับอดีตเรือธง Snapdragon 820 อยู่อย่างมีนัยยะ
แต่ข่าวลือสำหรับขวบปี 2018 อาจจะน่าสนใจไม่แพ้กัน โดยมีการอ้างอิงในช่วงปลายเดือนสิงหาคมระบุว่า Qualcomm อาจจะพิจารณาใช้เทคโนโลยีกระบวนการผลิต 10 นาโนเมตร เป็นครั้งแรกกับหน่วยประมวลผลรุ่นน้องรองซีรีส์ 6 ให้อัพเกรดติดกันสองเด้ง ซึ่งแหล่งข่าวอ้างว่าชิปเซ็ตที่อาจจะเปิดตัวในรหัส Snapdragon 670 จะเป็นหน่วยประมวลผล Octa-core รุ่นใหม่ที่ออกแบบให้มีแกนประมวลผลประสิทธิภาพสูง (High Power) เพียง 2 แกน ในขณะที่แกนประมวลผลประหยัดพลังงาน (Low Power) มีมากถึง 6 แกน
โดยทำงานภายใต้เทคโนโลยี ARM DynamicIQ ที่ปรับปรุงมาจากวิธีการออกแบบ big.LITTLE ที่ใช้งานอยู่กันอย่างแพร่หลาย นอกจากนั้นเทคโนโลยีการผลิต 10 นาโนเมตร ที่อาจจะนำมาใช้ในการผลิตชิปเซ็ต Snapdragon 670 นั้น ยังอาจจะเป็นรุ่นปรับปรุงที่ทาง Samsung มีรหัสเรียกกว่า Low Power Plus อีกด้วย ซึ่งน่าจะอัพเกรดขึ้นได้อีก เมื่อเทียบกับทาง Snapdragon 835 ที่เปิดตัวออกมาในขวบปี 2018 นั้นใช้การกระบวนการผลิตแบบ Low Power Early นำร่องทำตลาดออกมาก่อน
